- 收听数
- 0
- 性别
- 保密
- 听众数
- 3
- 最后登录
- 2014-7-21
- QQ
- UID
- 9205
- 阅读权限
- 10
- 帖子
- 8
- 精华
- 0
- 在线时间
- 2 小时
- 注册时间
- 2014-4-25
- 科研币
- 0
- 速递币
- 18
- 娱乐币
- 12
- 文献值
- 0
- 资源值
- 0
- 贡献值
- 0
|
10速递币
题名 | Lattice‐matched epitaxial growth of single crystalline 3C‐SiC on 6H‐SiC substrates by gas source molecular beam epitaxy | 作者 | Tatsuo Yoshinobu, Hideaki Mitsui, Iwao Izumikawa, Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami | 杂志 | Appl. Phys. Lett. | 年|卷|期 | 60,1992 | 页码 | 824 | 链接 | http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/60/7/10.1063/1.107430 |
|
|