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[成功] Resistive switching characteristics of PECVD-deposited porous SiO2-based elec...

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发表于 2016-8-8 14:10:11 |只看该作者 |倒序浏览

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题名	Resistive switching characteristics of PECVD-deposited porous SiO2-based electrochemical metallisation memory cells
链接	http://xueshu.baidu.com/s?wd=paperuri%3A%28836ec4143d939c72a5a03f5cf5b6f437%29&filter=sc_long_sign&tn=SE_xueshusource_2kduw22v&sc_vurl=http%3A%2F%2Fieeexplore.ieee.org%2Fxpl%2FarticleDetails.jsp%3Farnumber%3D7470066&ie=utf-8&sc_us=16695121593104743305

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沙发

发表于 2016-8-8 14:10:12 |只看该作者

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