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Resistive switching characteristics of all-solution-based Ag/TiO2/Mo-doped In...

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楼主

发表于 2017-1-5 09:11:21 |只看该作者 |倒序浏览

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题名	Resistive switching characteristics of all-solution-based Ag/TiO2/Mo-doped In2O3 devices for non-volatile memory applications
链接	http://pubs.rsc.org/en/Content/ArticleLanding/2016/TC/C6TC03607D#!divAbstract

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なつめたかし查看完整内容

链接: http://pan.baidu.com/s/1kV8tLmn 密码: yg46

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なつめたかし

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沙发

发表于 2017-1-5 09:11:22 |只看该作者

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