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[成功] Improved resistive switching properties in SiOx-based resistive random-access...

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发表于 2016-4-11 08:28:51 |只看该作者 |倒序浏览

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题名	Improved resistive switching properties in SiOx-based resistive random-access memory cell with Ti buffer layer
链接	http://scitation.aip.org/content/avs/journal/jvstb/34/2/10.1116/1.4943560

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なつめたかし

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沙发

发表于 2016-4-11 08:28:52 |只看该作者

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