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楼主
发表于 2016-3-9 15:37:58 |只看该作者 |倒序浏览
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题名Effects of conducting defects on resistive switching characteristics of SiN x -based resistive random-access memory with MIS structure
链接http://scitation.aip.org/content/avs/journal/jvstb/33/6/10.1116/1.4931946

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沙发
发表于 2016-3-9 15:37:59 |只看该作者
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