科研速递论坛-文献求助|sci-hub|谷歌学术|文献互助|文献检索|文献代理|名校资源|免费VPN|学术共享

定格

716 主题	17 好友	32 积分

自成一派

Rank: 5 Rank: 5

科研币: 150
速递币: 9693
娱乐币: 7792
文献值: 306
资源值: 2
贡献值: 3

发消息

电梯直达

楼主

发表于 2014-8-14 17:29:21 |只看该作者 |正序浏览

本帖最后由定格于 2014-8-14 17:43 编辑

间接带隙半导体能测光致发光光谱吗？

间接带隙半导体材料（如Si、Ge）导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。
间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。电子在k状态时的动量是（h/2pi）k，k不同，动量就不同，从一个状态到另一个必须改变动量。
与之相对的直接带隙半导体则是电子在跃迁至导带时不需要改变动量。
锗和硅的价带顶Ev都位于布里渊区中心，而导带底Ec则分别位于<100>方向的简约布里渊区边界上和布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处，即导带底与价带顶对应的波矢不同。这种半导体称为间接禁带半导体。

淘帖0 收藏0 顶0 踩0

wang

438 主题	8 好友	8 积分

版主

Rank: 7 Rank: 7 Rank: 7

科研币: 25
速递币: 4372
娱乐币: 5568
文献值: 352
资源值: 6
贡献值: 12

发消息

7^#

发表于 2014-8-15 06:37:29 来自手机 |只看该作者

真心一点都不懂！

In-June

247 主题	9 好友	6 积分

渐入佳境

Rank: 3 Rank: 3

科研币: 20
速递币: 2087
娱乐币: 1831
文献值: 234
资源值: 0
贡献值: 205

发消息

6^#

发表于 2014-8-15 00:11:37 来自手机 |只看该作者

丁点都不懂
来自: Android客户端

心灵紫汀

851 主题	16 好友	35 积分

文献版主

Rank: 7 Rank: 7 Rank: 7

科研币: 149
速递币: 20102
娱乐币: 53289
文献值: 711
资源值: 0
贡献值: 159

发消息

5^#

发表于 2014-8-14 18:20:36 |只看该作者

完全不懂

祝福论坛，越来越红火！水区欢迎你们http://www.expaper.cn/forum.php?mod=forumdisplay&fid=67

定格

716 主题	17 好友	32 积分

自成一派

Rank: 5 Rank: 5

科研币: 150
速递币: 9693
娱乐币: 7792
文献值: 306
资源值: 2
贡献值: 3

发消息

地板

发表于 2014-8-14 17:45:54 |只看该作者

简单点说,从能带图谱可以看出,间接带隙半导体中的电子在跃迁时K值会发生变化,这意味着电子跃迁前后在K空间的位置不一样了,这样会极大的几率将能量释放给晶格,转化为声子,变成热能释放掉。

而直接带隙中的电子跃迁前后只有能量变化,而无位置变化,于是便有更大的几率将能量以光子的形式释放出来。

自己顶贴欢迎拍砖