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标题: 微电子所等有机器件低温柔性薄膜封装研究获进展 [打印本页]

作者: small 时间: 2013-8-3 18:16
标题: 微电子所等有机器件低温柔性薄膜封装研究获进展
近日，中国科学院微电子研究所微电子设备技术研究室（八室）刘键、刘杰、冷兴龙、屈芙蓉等科研人员组成的有机电子柔性封装课题组，联合中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，在有机电子器件低温柔性薄膜封装ICP-PECVD系统研究上取得显著进展。

有机电子器件具有轻、柔、薄等特色，有机电子产品市场前景广阔，是当今国际研究热点之一。有机电子器件金属阴极及部分功能材料对水氧特别敏感，使得有机电子器件封装特别是柔性封装成为技术难点。具有有机/（过渡层）/无机交替结构的柔性薄膜封装是有机电子器件封装的最佳选择之一。柔性薄膜封装要求封装温度低于120oC、有机/无机薄膜同源同室生长、封装层水氧阻挡性强。

针对上述要求，该研究团队设计并研制了一套有机电子低温柔性薄膜封装ICP-PECVD系统。通过调节生长气氛，在相同的前驱体条件下分别实现有机、过渡、无机薄膜的同腔沉积。沉积时样品台温度控制在80oC左右。沉积薄膜厚度均一，6寸硅片厚度均匀性达0.52%；沉积薄膜表面平整，薄膜表面粗糙度Ra可低至0.33nm；单个周期有机/无机交替结构薄膜封装层水汽渗透率达3.66×10-4g/m2/day（已超出北京印刷学院水氧渗透率测试仪10-4g/m2/day测试极限）。

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