[成功] Interfacial versus filamentary resistive switching in TiO2 and HfO2 devices

833 主题	12 好友	1 积分

Rank: 2

电梯直达

发表于 2016-5-27 09:34:13 |只看该作者 |正序浏览

5速递币

题名	Interfacial versus filamentary resistive switching in TiO2 and HfO2 devices
链接	http://scitation.aip.org/content/avs/journal/jvstb/34/1/10.1116/1.4940129

您的文件已经成功上传文件下载地址： http://disk.680.com/vUvqMj 您可以通过复制和粘贴以上的链接地址，与您的朋友共享您的文件。

75 主题	18 好友	31 积分

Rank: 7 Rank: 7 Rank: 7

楼主

发表于 2016-5-27 09:34:14 |只看该作者

您的文件已经成功上传
文件下载地址：
http://disk.680.com/vUvqMj
您可以通过复制和粘贴以上的链接地址，与您的朋友共享您的文件。

已有 1 人评分	文献值	收起理由
浪淘沙	+ 1

总评分: 文献值 + 1 查看全部评分

举报该帖为应助帖