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发表于 2016-5-13 10:32:17 |只看该作者 |正序浏览
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题名Fabrication of a resistive switching gallium oxide thin film with a tailored gallium valence state and oxygen deficiency by rf cosputtering process
链接http://pubs.rsc.org/en/Content/ArticleLanding/2016/RA/C5RA21160C#!divAbstract

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发表于 2016-5-13 10:32:18 |只看该作者
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