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[成功] The effect of a Ta oxygen scavenger layer on HfO2-based resistive switching b...

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发表于 2016-3-26 07:08:05 |只看该作者 |正序浏览

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题名	The effect of a Ta oxygen scavenger layer on HfO2-based resistive switching behavior: thermodynamic stability, electronic structure, and low-bias transport
链接	http://pubs.rsc.org/en/Content/ArticleLanding/2016/CP/C6CP00450D#!divAbstract

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楼主

发表于 2016-3-26 07:08:06 |只看该作者

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