开启辅助访问 购买速递币 快速注册 找回密码 切换风格

科研速递论坛

833

主题

12

好友

1

积分

登堂入室

Rank: 2

科研币
5
速递币
5217
娱乐币
947
文献值
0
资源值
0
贡献值
0
跳转到指定楼层
#
发表于 2016-1-13 13:24:32 |只看该作者 |正序浏览
5速递币
题名Evolution of Filament Formation in Ni/HfO2/SiOx/Si-Based RRAM Devices
链接http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/aelm.201500130/abstract

最佳答案

167

主题

7

好友

12

积分

炉火纯青

Rank: 4

科研币
53
速递币
909
娱乐币
2875
文献值
220
资源值
0
贡献值
0
楼主
发表于 2016-1-13 13:24:33 |只看该作者
已有 1 人评分文献值 收起 理由
vip + 1

总评分: 文献值 + 1   查看全部评分

回复

举报 该帖为应助帖

您需要登录后才可以回帖 登录 | 快速注册

发布主题 !fastreply! 返回列表 官方QQ群

QQ|Translate Forum into English|QQ群:821993|Archiver|手机版|申请友链| 科研速递论坛

GMT+8, 2024-11-25 13:45 , Processed in 0.061606 second(s), 31 queries .

© 2012-2099 www.expaper.cn

!fastreply! 回顶部 !return_list!