东芝和佳能联手开发3D闪存

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新华社电 为了掌握大容量存储器新技术，增强与韩国三星等公司的竞争能力，日本东芝和佳能两家公司决定联合研发高性能3D闪存，力争在2016年投入量产。

3D闪存是下一代闪存技术，相对于2D闪存技术，3D闪存把存储单元垂直叠加，可大幅提高存储器容量，但对制造工艺要求更高。2013年，三星推出一款128GB的3D闪存芯片，成为首家量产3D闪存的公司。据东芝公司官方网站披露，随着大数据时代到来，对能够存储大量数据的存储器的需求将急剧增加。为了在产业竞争中与韩国三星等公司抗衡，东芝决定与佳能公司合作，利用各自的技术优势联合研发。（乐绍延）