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发表于 2014-3-14 22:48:27 |只看该作者 |倒序浏览
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题名Impact of Rapid Crystallization of Si Using Nickel-Metal-Induced Lateral Crystallization on Thin-Film Transistor Characteristics
作者Sho Nagata, Gou Nakagawa and Tanemasa Asano
杂志Jpn. J. Appl. Phys.
年|卷|期2012, 51
页码02BH04
链接http://iopscience.iop.org/1347-4065/51/2S/02BH04/pdf/1347-4065_51_2S_02BH04.pdf

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发表于 2014-3-14 22:48:28 |只看该作者
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发表于 2014-3-14 22:51:10 |只看该作者
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