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[成功] Secondary ion mass spectrometry analysis of ultrathin impurity layers in semi...

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发表于 2013-9-26 00:01:28 |只看该作者 |倒序浏览

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题名	Secondary ion mass spectrometry analysis of ultrathin impurity layers in semiconductors and their use in quantification, instrumental assessment, and fundamental measurements
作者	M. G. Dowsett, R. D. Barlow, and P. N. Allen
杂志	J. Vac. Sci. Technol. B
年\|卷\|期	1994, 12
页码	186
链接	http://avspublications.org/jvstb/resource/1/jvtbd9/v12/i1/p186_s1?isAuthorized=no

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liuzff 查看完整内容

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沙发

发表于 2013-9-26 00:01:29 |只看该作者

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发表于 2013-9-26 00:04:58 |只看该作者

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发表于 2013-9-26 00:05:17 |只看该作者

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