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发表于 2016-8-22 19:42:17 |只看该作者 |倒序浏览
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题名Evaluation of Radiation Sensor Aspects of  text{Er}_2  text{O}_3 MOS Capacitors under Zero Gate Bias
作者Aysegul Kahraman ; Abant Izzet Baysal University, Bolu, Turkey ; Ercan Yilmaz ; Aliekber Aktag ; Senol Kaya
杂志IEEE Transactions on Nuclear Science,
年|卷|期Vol.63,No.2
页码1284 - 1293
链接http://ieeexplore.ieee.org/xpl/login.jsp?tp=&arnumber=7454848&url=http%3A%2F%2Fieeexplore.ieee.org%2Fxpls%2Fabs_all.jsp%3Farnumber%3D7454848

本帖最后由 lo7ve77 于 2016-8-22 22:24 编辑

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发表于 2016-8-22 19:42:18 |只看该作者
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