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题名 | Electrode-induced digital-to-analog resistive switching in TaO x -based RRAM devices | 链接 | http://xueshu.baidu.com/s?wd=paperuri%3A%28fb7a645d3f4b4f0a8be899efcc248f61%29&filter=sc_long_sign&tn=SE_xueshusource_2kduw22v&sc_vurl=http%3A%2F%2Fiopscience.iop.org%2Farticle%2F10.1088%2F0957-4484%2F27%2F30%2F305201%2Fmeta&ie=utf-8&sc_us=18079177537650951638 |
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