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题名 | A high performance transparent resistive switching memory made from ZrO2/AlON bilayer structure | 链接 | http://xueshu.baidu.com/s?wd=paperuri%3A%28da676da44a38aad313cdde51dac9ca85%29&filter=sc_long_sign&tn=SE_xueshusource_2kduw22v&sc_vurl=http%3A%2F%2Fscitation.aip.org%2Fcontent%2Faip%2Fjournal%2Fapl%2F108%2F15%2F10.1063%2F1.4946006&ie=utf-8&sc_us=9763095947759188812 |
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