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题名 | Annealing Effect of Al2O3 Tunnel Barriers in HfO2-Based ReRAM Devices on Nonlinear Resistive Switching Characteristics | 链接 | http://chinesesites.library.ingentaconnect.com/content/asp/jnn/2015/00000015/00000010/art00029?token=00541c241a2a102616c0437a63736a6f356b414c7e763b445074766f644a467c79675d7c4e724770f389 |
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