间接带隙半导体 能测光致发光光谱吗？

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间接带隙半导体 能测光致发光光谱吗？


间接带隙半导体材料（如Si、Ge）导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。
间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。电子在k状态时的动量是（h/2pi）k，k不同，动量就不同，从一个状态到另一个必须改变动量。
与之相对的直接带隙半导体则是电子在跃迁至导带时不需要改变动量。
锗和硅的价带顶Ev都位于布里渊区中心，而导带底Ec则分别位于<100>方向的简约布里渊区边界上和布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处，即导带底与价带顶对应的波矢不同。这种半导体称为间接禁带半导体。

shixiwu

不懂...

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shixiwu 发表于 2014-8-14 17:38
不懂...

谢谢 回帖

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简单点说,从能带图谱可以看出,间接带隙半导体中的电子在跃迁时K值会发生变化,这意味着电子跃迁前后在K空间的位置不一样了,这样会极大的几率将能量释放给晶格,转化为声子,变成热能释放掉。

而直接带隙中的电子跃迁前后只有能量变化,而无位置变化,于是便有更大的几率将能量以光子的形式释放出来。


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心灵紫汀

完全不懂

In-June

丁点都不懂
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wang

真心一点都不懂！