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[成功] Lattice‐matched epitaxial growth of single crystalline 3C‐SiC on 6H‐SiC...

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发表于 2014-7-19 22:17:37 |只看该作者 |倒序浏览

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题名	Lattice‐matched epitaxial growth of single crystalline 3C‐SiC on 6H‐SiC substrates by gas source molecular beam epitaxy
作者	Tatsuo Yoshinobu, Hideaki Mitsui, Iwao Izumikawa, Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami
杂志	Appl. Phys. Lett.
年\|卷\|期	60,1992
页码	824
链接	http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/60/7/10.1063/1.107430

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沙发

发表于 2014-7-19 22:17:38 |只看该作者

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发表于 2014-7-19 22:21:59 |只看该作者

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