- 收听数
- 1
- 听众数
- 12
- 最后登录
- 2022-3-18
- QQ
- UID
- 2572
- 阅读权限
- 30
- 帖子
- 251
- 精华
- 0
- 在线时间
- 387 小时
- 注册时间
- 2013-1-13
- 科研币
- 35
- 速递币
- 3415
- 娱乐币
- 44698
- 文献值
- 0
- 资源值
- 0
- 贡献值
- 1
|
10速递币
题名 | Impact of Rapid Crystallization of Si Using Nickel-Metal-Induced Lateral Crystallization on Thin-Film Transistor Characteristics | 作者 | Sho Nagata, Gou Nakagawa and Tanemasa Asano | 杂志 | Jpn. J. Appl. Phys. | 年|卷|期 | 2012, 51 | 页码 | 02BH04 | 链接 | http://iopscience.iop.org/1347-4065/51/2S/02BH04/pdf/1347-4065_51_2S_02BH04.pdf |
|
|