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[成功] Annealing Effect of Al2O3 Tunnel Barriers in HfO2-Based ReRAM Devices on Nonl...

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发表于 2016-1-5 12:28:25 |只看该作者 |倒序浏览

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题名	Annealing Effect of Al2O3 Tunnel Barriers in HfO2-Based ReRAM Devices on Nonlinear Resistive Switching Characteristics
链接	http://chinesesites.library.ingentaconnect.com/content/asp/jnn/2015/00000015/00000010/art00029?token=00541c241a2a102616c0437a63736a6f356b414c7e763b445074766f644a467c79675d7c4e724770f389

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沙发

发表于 2016-1-5 12:28:26 |只看该作者

链接: http://pan.baidu.com/s/1o7eHKls 密码: m74v

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