新手赚币宝典全民福利文献互助 ss/vpn 文献代理 sci-hub 兑换纪念品 google

开启辅助访问购买速递币登录快速注册找回密码切换风格

科研速递论坛»论坛 › 文献速递区 › Articles Request|文献互助 › Completed Archives for Articles|文献成功归档 › Effect of Al incorporation amount upon the resistive ...

查看: 72|回复: 1

上一主题

下一主题

[成功] Effect of Al incorporation amount upon the resistive-switching characteristic...

833 主题	12 好友	1 积分

Rank: 2

科研币: 5
速递币: 5217
娱乐币: 947
文献值: 0
资源值: 0
贡献值: 0

发消息

电梯直达

跳转到指定楼层

楼主

发表于 2016-10-31 13:41:34 |只看该作者 |倒序浏览

5速递币

题名	Effect of Al incorporation amount upon the resistive-switching characteristics for nonvolatile memory devices using Al-doped ZnO semiconductors
链接	http://scitation.aip.org/content/avs/journal/jvstb/33/5/10.1116/1.4930896

最佳答案

smart505 查看完整内容

http://disk.680.com/z2Ave2

淘帖0 收藏0 顶0 踩0

回复

45 主题	17 好友	49 积分

Rank: 5 Rank: 5

科研币: 103
速递币: 8602
娱乐币: 110495
文献值: 3574
资源值: 0
贡献值: 4

发消息

沙发

发表于 2016-10-31 13:41:35 |只看该作者

http://disk.680.com/z2Ave2

已有 1 人评分	文献值	收起理由
liwusheng	+ 1

总评分: 文献值 + 1 查看全部评分

回复

举报该帖为应助帖

|Translate Forum into English|QQ群:821993|Archiver|手机版|申请友链| 科研速递论坛

GMT+8, 2024-11-20 06:32 , Processed in 0.060331 second(s), 34 queries .

© 2012-2099 www.expaper.cn

!fastreply! 回顶部 !return_list!