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[成功] Forming-free, bipolar resistivity switching characteristics of fully transpar...

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楼主

发表于 2016-10-20 10:46:43 |只看该作者 |倒序浏览

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题名	Forming-free, bipolar resistivity switching characteristics of fully transparent resistive random access memory with IZO/α-IGZO/ITO structure
链接	http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0022-3727/49/38/385102/meta

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liwusheng 查看完整内容

http://pan.baidu.com/s/1boZZVFT

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沙发

发表于 2016-10-20 10:46:44 |只看该作者

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