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楼主
发表于 2016-6-6 14:02:59 |只看该作者 |倒序浏览
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题名Bipolar resistive switching characteristics in tantalum nitride-based resistive random access memory devices
链接http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/106/20/10.1063/1.4921349

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http://pan.baidu.com/s/1hs34DAO

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沙发
发表于 2016-6-6 14:03:00 |只看该作者
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