我研制成功直径18英寸直拉硅单晶

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袁晓阳 刘红灿

    　　北京11月3日电北京有色金属研究总院今天宣布，科研人员日前研制出我国第一根直径为18英寸（450毫米）直拉硅单晶，标志着我国在这一领域进入世界领先行列。
   

    　　北京有色金属研究总院是我国主要的半导体研究、开发、生产基地，在硅单晶研究方面一直保持世界先进水平，形成了我国具有自主知识产权的大直径硅单晶制备技术。此次研制成功18英寸直拉硅单晶，将对提高我国半导体材料工业的研究水平，推动集成电路和信息产业的发展产生积极影响。
   

    　　据最新的《国际半导体技术指南（ I TRS）》，直径18英寸硅单晶抛光片是12英寸的下一代产品，也是未来22纳米线宽64G集成电路的衬底材料，在国际上还处于基础研究阶段。集成电路产业是信息产业的核心，据统计，全世界以集成电路为核心的电子元器件，95％以上是用硅材料制成的，其中直拉硅单晶的用量超过85％。随着超大规模集成电路集成度的迅速提高，迫切要求采用大直径的直拉硅单晶抛光片，它还大大降低了电子器件的制造成本。
   

    　　北京有色金属研究总院分别于1992、1995、1997年研制成功我国第一根直径为6英寸、8英寸、12英寸的直拉硅单晶，并于2001年建成我国第一条直径8英寸的硅抛光片生产线，为我国0.25－0.5微米线宽集成电路的生产提供了最重要的基础功能材料。
   

    摘自《科技日报》