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[成功] Competitive effects of oxygen vacancy formation and interfacial oxidation on ...

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发表于 2016-5-24 08:39:06 |只看该作者 |倒序浏览

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题名	Competitive effects of oxygen vacancy formation and interfacial oxidation on an ultra-thin HfO2-based resistive switching memory: beyond filament and charge hopping models
链接	http://pubs.rsc.org/en/Content/ArticleLanding/2016/CP/C6CP00916F#!divAbstract

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沙发

发表于 2016-5-24 08:39:07 |只看该作者

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发表于 2016-5-24 08:47:43 |只看该作者

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