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[成功] Engineering interface-type resistance switching based on forming current comp...

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楼主

发表于 2016-12-12 15:39:31 |只看该作者 |倒序浏览

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题名	Engineering interface-type resistance switching based on forming current compliance in ITO/Ga2O3:ITO/TiN resistance random access memory: Conduction mechanisms, temperature effects, and electrode influence
链接	http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/109/18/10.1063/1.4966181

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沙发

发表于 2016-12-12 15:39:32 |只看该作者

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