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标题: Noise sensitivity to gamma radiation in Si-jfet devices [打印本页]

作者: huwei007 时间: 2015-8-4 19:17
标题: Noise sensitivity to gamma radiation in Si-jfet devices

题名	Noise sensitivity to gamma radiation in Si-jfet devices
作者	J. Assaf
杂志	Radiation Effects and Defects in Solids
年\|卷\|期	Volume 157, Issue 4, 2002
页码	401-410
链接	http://www.tandfonline.com/doi/abs/10.1080/10420150214034#.VcCccmaqqko

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作者: cuiwq456 时间: 2015-8-4 19:17
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作者: cuiwq456 时间: 2015-8-4 19:18
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作者: huwei007 时间: 2015-8-4 19:20

cuiwq456 发表于 2015-8-4 19:19
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