科研速递论坛

标题: Electrical Bistabilities of Write-Once-Read-Many-Times Memory Devices Fabrica... [打印本页]

作者: lingzhi901 时间: 2013-5-9 09:42
标题: Electrical Bistabilities of Write-Once-Read-Many-Times Memory Devices Fabrica...

题名	Electrical Bistabilities of Write-Once-Read-Many-Times Memory Devices Fabricated Utilizing Indium Tin Oxide Nanoparticles Embedded in a Poly 4-Vinyl Phenol Layer
作者	Xu, Jia; Zhang, Yong; Li, Xiaochan; Zhang, Tao; He, Miao; Qian, Weining; Li, Yun; Wen, Xiaoxia; Chen, Fangsheng; Ding, Lizhen; Wang, Bo
杂志	Nanoscience and Nanotechnology Letters
年\|卷\|期	2013，5（2）
页码	147-150（4）
链接	http://ingentaconnect.com/content/asp/nnl/2013/00000005/00000002/art00011

本帖最后由 lo7ve77 于 2014-2-2 11:02 编辑

作者: coolsas 时间: 2013-5-9 09:42
https://app.box.com/s/sg60rtwz788ueva5kbna

作者: dajia123 时间: 2013-5-9 09:44
提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

作者: lingzhi901 时间: 2013-5-9 09:48

dajia123 发表于 2013-5-9 09:44
111111111111

感谢dajia123对我的帮助~

作者: lingzhi901 时间: 2013-5-9 10:01
qq？你叫啥？我叫是我不小心

作者: lingzhi901 时间: 2013-5-9 10:01

lingzhi901 发表于 2013-5-9 09:48
感谢dajia123对我的帮助~

在群里叫小心-凝聚态

作者: coolsas 时间: 2014-2-21 12:18
11111111111111111

欢迎光临科研速递论坛 (http://expaper.cn/)