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标题: Interfacial versus filamentary resistive switching in TiO2 and HfO2 devices [打印本页]

作者: tookey0116    时间: 2016-5-27 09:34
标题: Interfacial versus filamentary resistive switching in TiO2 and HfO2 devices
题名Interfacial versus filamentary resistive switching in TiO2 and HfO2 devices
链接http://scitation.aip.org/content/avs/journal/jvstb/34/1/10.1116/1.4940129


作者: lben85    时间: 2016-5-27 09:34
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